sfh 4501 schnelle ir-lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm radial-geh?use high-speed infrared emitter (950 nm) in 5 mm radial package sfh 4502 sfh 4503 2000-01-01 1 opto semiconductors sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 features ? very highly efficient gaas-led ? high reliability ? spectral match with silicon photodetectors applications ? ir remote control of hi-fi and tv-sets, video tape recorders, dimmers ? remote control for steady and varying intensity ? sensor technology ? discrete interrupters wesentliche merkmale ? gaas-led mit sehr hohem wirkungsgrad ? hohe zuverl?ssigkeit ? gute spektrale anpassung an si-fotoempf?nger anwendungen ? ir-fernsteuerung von fernseh- und rundfunkger?ten, videorecordern, lichtdimmern ? ger?tefernsteuerungen fr gleich- und wechsellichtbetrieb ? sensorik ? diskrete lichtschranken typ type bestellnummer ordering code geh?use package sfh 4501 q62702-p5061 5-mm-led-geh?use (t 1 3 / 4 ), schwarz eingef?rbt, anschlu? im 2.54-mm-raster ( 1 / 10 ), anodenkennzeichnung: krzerer anschlu? 5 mm led package (t 1 3 / 4 ), black-colored epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / 10 ), anode marking: short lead sfh 4502 q62702-p5062 sfh 4503 q62702-p5305
2000-01-01 2 opto semiconductors sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 grenzwerte ( t a = 25 c) maximum ratings bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit betriebs- und lagertemperatur operating and storage temperature range t op ; t stg C 40 ? + 100 c sperrspannung reverse voltage v r 3v durchla?strom forward current i f (dc) 100 ma sto?strom, t p = 10 m s, d = 0 surge current i fsm 1a verlustleistung power dissipation p tot 180 mw w?rmewiderstand sperrschicht - umgebung, freie beinchenl?nge max. 10 mm thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and pcb max. 10 mm r thja 375 k/w kennwerte ( t a = 25 c) characteristics bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit wellenl?nge der strahlung wavelength at peak emission i f = 100 ma, t p = 20 ms l peak 950 nm spektrale bandbreite bei 50% von i max spectral bandwidth at 50% of i max i f = 100 m a, t p = 20 ms dl 40 nm abstrahlwinkel half angle sfh 4501 sfh 4502 sfh 4503 j 7 18 4 grad deg. aktive chipfl?che active chip area a 0.09 mm 2 abmessungen der aktiven chipfl?che dimension of the active chip area l b l w 0.3 0.3 mm
sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 2000-01-01 3 opto semiconductors schaltzeiten, i e von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei i f = 100 ma, t p = 20 ms, r l = 50 w switching times, i e from 10% to 90% and from 90% to 10%, i f = 100 ma, t p = 20 ms, r l =50 w t r , t f 10 ns kapazit?t capacitance v r = 0 v, f = 1 mhz c o 35 pf durchla?spannung, forward voltage i f = 100 ma, t p = 20 ms i f = 1 a, t p = 100 m s v f v f 1.5 ( 1.8) 3.2 ( 3.6) v v sperrstrom, reverse current v r = 3 v i r 0.01 ( 10) m a gesamtstrahlungsflu?, total radiant flux i f = 100 ma, t p = 20 ms f e 32 mw temperaturkoeffizient von i e bzw. f e , i f = 100 ma temperature coefficient of i e or f e , i f = 100 ma tc i C 0.44 %/k temperaturkoeffizient von v f , i f = 100 ma temperature coefficient of v f , i f = 100 ma tc v C 1.5 mv/k temperaturkoeffizient von l , i f = 100 ma temperature coefficient of l , i f = 100 ma tc l + 0.2 nm/k kennwerte ( t a = 25 c) characteristics (contd) bezeichnung parameter symbol symbol wert value einheit unit
2000-01-01 4 opto semiconductors sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 strahlst?rke i e in achsrichtung gemessen bei einem raumwinkel w = 0.01 sr radiant intensity i e in axial direction at a solid angle of w = 0.01 sr bezeichnung description symbol werte values einheit unit sfh 4501 sfh 4502 sfh 4503 strahlst?rke radiant intensity i f = 100 ma, t p = 20 ms i e min i e typ 63 90 25 50 63 200 mw/sr strahlst?rke radiant intensity i f = 1 a, t p = 100 m s i e typ 550 310 1200 mw/sr
sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 2000-01-01 5 opto semiconductors relative spectral emission i rel = f ( l ) forward current i f = f ( v f ) single pulse, t p = 20 m s ohf00777 nm 800 i rel l 0 850 900 950 1000 1100 20 40 60 80 100 ohf00784 10 -3 v ma 0 i f v f 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4.5 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 radiant intensity single pulse, t p = 20 m s i e i e 100 ma = f ( i f ) e e (100 ma) ma ohf00809 f i i i 10 4 0 10 10 1 10 23 10 10 -3 10 -2 10 10 -1 0 10 2 max. permissible forward current i f = f ( t a ) ohf00359 0 f i 0 20 40 60 80 100 120 20 40 60 80 100 120 ma ?c t a r thja = 450 k/w
2000-01-01 6 opto semiconductors sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 radiation characteristics i rel = f ( j) sfh 4501 radiation characteristics i rel = f ( j) sfh 4502 radiation characteristics i rel = f ( j) sfh 4503 ohf00859 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120? 0.4 0.6 0.8 1.0 100? 90? 80? 70? 60? 50? 0? 10? 20? 30? 40? 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 j ohf00810 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120? 0.4 0.6 0.8 1.0 100? 90? 80? 70? 60? 50? 0? 10? 20? 30? 40? 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 j ohf01142 0? 20? 40? 60? 80? 100? 120? 0.4 0.6 0.8 1.0 100? 90? 80? 70? 60? 50? 0? 10? 20? 30? 40? 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 j
sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 2000-01-01 7 opto semiconductors ma?zeichnung package outlines ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben / dimensions in mm, unless otherwise specified. sfh 4501 gex06952 5.9 5.5 0.6 0.4 ?5.1 ?4.8 7.8 7.5 8.2 9.0 2.54 mm spacing 1.2 1.8 29.5 27.5 0.6 0.4 0.8 0.4 area not flat anode sfh 4502
2000-01-01 8 opto semiconductors sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 ma?e in mm, wenn nicht anders angegeben / dimensions in mm, unless otherwise specified. 5.9 5.5 0.6 0.4 ?5.1 ?4.8 2.54 mm spacing 7.8 7.5 9.0 8.2 5.7 5.1 29 27 1.8 1.2 0.8 0.4 area not flat 0.6 0.4 anode chip position gex06048 sfh 4503
sfh 4501, sfh 4502, sfh 4503 2000-01-01 9 opto semiconductors l?tbedingungen soldering conditions tauch-, schwall- und schleppl?tung dip, wave and drag soldering kolbenl?tung (mit 1,5-mm-kolbenspitze) iron soldering (with 1.5-mm-bit) l?tbad- temperatur temperature of the soldering bath maximal zul?ssige l?tzeit max. perm. soldering time abstand l?tstelle C geh?use distance between solder joint and case temperatur des kolbens temperature of the soldering iron maximale zul?ssige l?tzeit max. permissible soldering time abstand l?tstelle C geh?use distance between solder joint and case 260 c 10 s 3 1.5 mm 300 c3 s 3 1.5 mm
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